Samsung อาจเริ่มผลิตชิป 3nm ก่อนหน้า TSMC!

Samsung อาจเริ่มผลิตชิป 3nm ก่อนหน้า TSMC!

Samsung อาจเริ่มผลิตชิป 3nm ก่อนหน้า TSMC!
แชร์เรื่องนี้
แชร์เรื่องนี้LineTwitterFacebook

สำนักข่าวยอนฮัพ (Yonhap News) เผย Samsung เตรียมประกาศเริ่มต้นการผลิตชิป 3nm ภายในสัปดาห์หน้า นำหน้า TSMC ที่เคยออกมายืนยันว่า จะเริ่มผลิตชิป 3nm ภายในปีนี้

โหนด 3nm จาก Samsung จะมีพื้นที่ลดลง 35%, ความสามารถในการทำงานสูงขึ้น 30% และกินพลังงานน้อยลง 50% เมื่อเทียบกับโหนด 5nm ซึ่งใช้ในการผลิต Snapdragon 888 และ Exynos 2100

ชิป 3nm จะใช้ดีไซน์ทรานซิสเตอร์แบบ Gate-All-Around (GAA) ซึ่งเป็นเวอร์ชันพัฒนาจาก FinFET ที่ทำให้ผู้ผลิตสามารถลดขนาดทรานซิสเตอร์และไม่กระทบความสามารถในการส่งกระแสไฟ โดยดีไซน์ MBCFET นั้นเป็นอีกเวอร์ชันของ GAAFET ที่มีความสามารถมากกว่า GAAFET ทั่วไป

อย่างไรก็ตาม สิ่งที่น่ากังวลที่สุดสำหรับการผลิตโหนดชนิดใหม่ก็คืออัตราการสำเร็จจากการผลิต (Yield)

แม้ Samsung จะเคยบอกว่า กระบวนการ 3nm มีอัตราการสำเร็จเข้าใกล้ระดับเดียวกับการผลิตโหนด 4nm แต่บริษัทกลับไม่เคยบอกตัวเลขที่ชัดเจนออกมา ทำให้นักวิเคราะห์ต่างคาดการณ์ว่า แม้แต่กระบวนการ 4nm ของ Samsung ก็ประสบปัญหาอัตราการผลิตสำเร็จที่ค่อนข้างต่ำ

อัลบั้มภาพ 1 ภาพ

อัลบั้มภาพ 1 ภาพ ของ Samsung อาจเริ่มผลิตชิป 3nm ก่อนหน้า TSMC!

Samsung อาจเริ่มผลิตชิป 3nm ก่อนหน้า TSMC
แชร์เรื่องนี้
แชร์เรื่องนี้LineTwitterFacebook