Samsung เริ่มผลิตความจำแบบ eUFS 3.1 รุ่นใหม่ความจุ 512GB  

Samsung เริ่มผลิตความจำแบบ eUFS 3.1 รุ่นใหม่ความจุ 512GB  
S! Hitech (Exclusive)

สนับสนุนเนื้อหา

 ในปีก่อน Samsung ได้มีการผลิต eUFS 3.0 ซึ่งมีความเร็วในการเขียนที่ 410MB/s ซึ่งถือว่าเร็วพอสมควรและรองรับ 512GB ล่าสุดตอนนี้ Samsung ได้เพิ่มเทคโนโลยี eUFS 3.1 ที่เขียนได้เร็วมากถึง 1GB/s คาดว่าจะใช้กับเรือธงในรุ่นต่อไป 

Cheol Choi รองผู้บริหารเกี่ยวกับด้านความจำของ Samsung  ได้เปิดเผยว่า ความจำดังกล่าวมาพร้อมกับการยกระดับความจำของมือถือที่เคยมีปัญหาในเรื่องการรับส่งที่อาจจะมีความเร็วช้าและติดขัดอยู่บ้าง 

เมื่อเปรียบเทียบกับเทคโนโลยีความจำแบบนี้ถือว่าเร็วกว่า SATA ที่รองรับความเร็วสูง และการ์ดความจำแบบ USH-I ของ Micro SD เท่ากับความจำแบบนี้จะรองรับการเขียนวิดีโอ 8K เรียกได้ว่าเร็วพอสมควร แต่สุดท้ายแล้วจะใช้กับความจำรุ่นนี้กับรุ่นไหนคงต้องติดตามกันต่อไป