Snapdragon 845 : ชิปตัวท็อปรุ่นต่อไปของ Qualcomm ที่ผลิตในระดับ 7 นาโนเมตร

 

รายงานล่าสุดระบุว่า Qualcomm ได้เริ่มพัฒนา Snapdragon 845 แล้ว โดยจะใช้กระบวนการผลิตระดับ 7 นาโนเมตร

รายงานดังกล่าวยืนยันว่า เมื่อเดือนเมษายนที่ผ่านมา ทาง TSMC ได้เริ่มพัฒนากระบวนการผลิตระดับ 7 นาโนเมตร แล้ว และกำลังอยู่ในขั้นตอนทดลองการผลิต และคาดว่าจะเปิดตัวในช่วงต้นปี 2018 ซึ่งชิปดังกล่าวจะมีประสิทธิภาพการทำงานเพิ่มขึ้น 25-35% เมื่อเทียบกับ Snapdragon 835 (ผลิตในระดับ 10 นาโนเมตร)

คาดการณ์ว่า Snapdragon 845 จะถูกนำมาใช้กับ Samsung Galaxy S9

นอกจาก Qualcomm แล้ว ยังมีอีกหลายแบรนด์ที่จะใช้ผลิตชิปด้วยกระบวนการผลิตระดับ 7 นาโนเมตร ทั้ง Huawei, NVIDIA และ MediaTek

ข้อมูลอ้างอิง : androidheadlines